Siliciumnitrid på højt niveau

Under fjernbetingelser kan siliciumpulver være fuldstændig nitrid i SHS -processen for at generereSiliciumnitrid, og produktet har højt nitrogenindhold og lavt iltindhold, men det er fase. I Silicon Fume SHS -reaktionen skal der tilføjes en passende mængde Si _3 n _4 frø; Forplantningshastigheden af ​​SHS -forbrændingsbølgen af ​​silicium øges med stigningen i nitrogentrykket og faldet i reaktantfyldningstæthed, men det er uafhængigt af reaktantsammensætningen og prøvediameteren. Forbrændingsbølgetemperaturen steg med stigningen i nitrogentrykket og stigningen i prøvediameter, som var uafhængig af sammensætningen af ​​reaktanter og fyldningstæthed.

1.SiliciumnitridFilm blev fremstillet ved anvendelse af Plasma Chemical Damp Deposition (PECVD) -teknologi under forskellige deponeringsbetingelser (substrattemperaturområde på 20 ~ 180 grader og RF -effekt på 10 ~ 30W), og virkningerne af deponeringsbetingelser på egenskaberne og vandtætte egenskaber af siliciumnitridfilm blev undersøgt. De eksperimentelle resultater viser, at med stigningen i substrattemperaturen, øges densiteten, brydningsindekset og Si/N -forholdet mellem siliciumnitridfilm tilsvarende, mens afsætningshastigheden og H -indholdet falder tilsvarende. Med stigningen i RF -effekt øges afsætningshastigheden, densiteten, brydningsindekset og Si/N -forholdet mellem siliciumnitridfilm tilsvarende, mens H -indholdet falder tilsvarende. Vanddamppermeationseksperimentet viser, at selv hvis substrattemperaturen reduceres til 50 grader, har den deponerede siliciumnitridfilm stadig god vandtæt ydeevne. Eksperimentelle resultater viser, at siliciumnitridfilm med lav temperatur effektivt kan anvendes til emballage af organiske lysemitterende enheder (OLED'er).

Populære tags: Materiale af siliciumnitrid på højt niveau, Kinas materiale -nitridproducenter på højt niveau af siliciumnitrid, leverandører, fabrik