Metal på højt niveau Silicium Metal 97

Samtidig bestemmelse af spor- og sporings urenhedselementer Al, CA, Fe, Mn, P, CR, Cu, Ni, Ti, V, Zr, AS og B induktivt koblet plasma-atomemissionsspektroskopi (ICP-AES) iSilicium Metal 97. En siliciummetalstandardprøve, NIST SRM -57 A, blev bestemt med tilfredsstillende resultater til bestemmelse af siliciummetalprøver under optimerede instrumentbetingelser og assaymedier. Gendannelsen af ​​spor- og sporforureninger i siliciummetalprøver var mellem 95%~ 105%, og den relative standardafvigelse RSD var mindre end 5%, hvilket var let at betjene, hurtigt for at analysere og nøjagtige og pålidelige resultater.

1.I mikrosensorsystemet er flerlags smelteligSilicium Metal 97Forbindelsesproces bruges til at overvinde det faktum, at når mikrosensoren og IC -chippen er monolitisk integreret, kan aluminiumsforbindelsen ikke modstå den annealing høje temperatur, der kræves i fremstillingsprocessen for mikrosensoren, og sammenkoblingsstrukturen kan behandles på standard CMOS -processen linje, der reducerer produktionsomkostningerne. Efter bånd-out har interconnect-strukturen egenskaberne ved stærk trindækning, god termisk stabilitet, lav resistivitet og let tør ætsning, som kan opfylde kravene i storskala IC-flerlags sammenkobling. Den store skala digital-analog hybrid integrerede kredsløb sammensat af det bevarer sin ydeevne, efter at udglødningsbetingelserne er henholdsvis 500 grader 5, h, 600 grader, 30 minutter, 650 grader 5 og min. Ovenstående udglødningsbetingelser opfylder kravene til monolitisk integration af mikrosensorsystemer baseret på ferroelektriske tynde film.

Populære tags: Metal på højt niveau silicium 97, Kina højt niveau metal silicium metal 97 producenter, leverandører, fabrik