Produktbeskrivelse
Silicium og mange metaller i det periodiske system kan danne metalsilicider. I det seneste årti, på grund af udviklingen og kravene til halvledervidenskab og teknologi, har forskningen vedrSilicium Metal 3303har været aktiv. Den grundlæggende struktur af mikroelektroniske enheder (LSI, VLSI) indeholder et stort antal metalliseringssystemer, såsom sammenkobling af enheder og celler, silicium-til-metal-kontakter [Schottky-barriere (SB) og ohmske kontakter] og gate-elektroder. DET EStimeres AT HVER STK ER 256KMOS RA.
Produkter Parametre
| Grad | Sammensætning | |||
| Urenheder (%) | ||||
| Si | Fe | Al | CA | |
| Større end eller lig med | Mindre end eller lig med | |||
| 3303 | 99.37 | 0.3 | 0.3 | 0.03 |
Produkter Samarbejdsbillede
1.Polysilicon med høj renhed,Silicium Metal 3303Er det vigtigste råmateriale inden for solcellefotovoltaisk industri, mainstream-teknologien til produktion af polysilicon med høj rensning på dette tidspunkt er Siemens-metoden, men produktionsomkostningerne ved denne metode forbliver høje, så udforskningen af lave omkostningshøjrulitetspolysilicium Produktionsteknologi er blevet en af forskningshotspotterne hjemme og i udlandet. På nuværende tidspunkt er produktionsteknologien med lavprispolysilicium hovedsageligt fysisk metode, herunder metallurgisk metode og tunge dopet siliciumaffaldsoprensningsmetode. Nøglen til produktionen af polysilicium med solgrad ved metallurgisk metode ligger i fjernelse af bor. Processen med at sprænge slagge og fjernelse af bor blev valgt til efterforskende eksperimentel forskning, og oxidationsreaktionen mellem reaktionsgassen og boren i slaggen og siliciumvæsken blev anvendt til at opnå formålet med fjernelse af bor og en ny måde at fremstille høj- Polysilicon med renhed ved metallurgisk metode blev undersøgt.
Populære tags: højniveau materiale siliciummetal 3303, Kina højniveau materiale siliciummetal 3303 producenter, leverandører, fabrik