Enestående hårdhed og mekanisk styrke
Mohs hårdhed på ~9,5, kun næst efter diamant og bornitrid.
Højslidstyrke, hvilket gør den ideel til slibende applikationer (f.eks. slibeskiver, skærende værktøjer).
Bevarer mekanisk stabilitet selv under ekstrem belastning.
Wide Bandgap Semiconductor Properties
Båndgab på 3,26 eV (4H-SiC), betydeligt større end silicium (1,12 eV).
Aktiverer drift klhøjere spændinger, temperaturer og frekvenser.
Reducerer energitab i kraftelektronik.
Højkritisk elektrisk feltstyrke(10 gange mere end silicium), hvilket muliggør tyndere, mere effektive enhedsdesign.
Fremragende termiske egenskaber
Høj varmeledningsevne (~490 W/m·K for 4H-SiC ved stuetemperatur), der overgår de fleste metaller og halvledere.
Fremragendevarmeafledning, afgørende for kraftelektronik og højfrekvente enheder.
Termisk stabilitet op til 1.600 grader(smeltepunkt ~2.700 grader), velegnet til ekstreme miljøer (f.eks. rumfart, atomreaktorer).
Vigtige fordele vs. traditionelle materialer
| Ejendom | Siliciumcarbid (SiC) | Silicium (Si) | Galliumnitrid (GaN) |
|---|---|---|---|
| Båndgap (eV) | 3.26 | 1.12 | 3.4 |
| Termisk ledningsevne | Høj (~490 W/m·K) | Lav (~150 W/m·K) | Moderat (~253 W/m·K) |
| Max driftstemp. | ~600 grader + | ~150 grader | ~300 grader |
| Elektrisk feltstyrke | 10x Si | Baseline | ~3x Si |
Populære tags: nøgleegenskaber for siliciumcarbid sic, Kina nøgleegenskaber for siliciumcarbid sic producenter, leverandører, fabrik